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1篇 您的检索式：作者名="M.Balseanu"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	应变工程在非易失性存储器中的应用显示文摘向非易失性存储器的存储单元中引入应变会降低隧穿漏泄电流并可对存储单元进行等比变化。	R.Arghavani V.Banthia M.Balseanu N.Ingle N.Derhacobian S.E.Thompson	2006	集成电路应用2006，23，6：	1

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