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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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1篇 您的检索式：作者名="Morgan E. Ware"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Site-controlled formation of InGaAs quantum nanostructures——Tailoring the dimensionality and the quantum confinement显示文摘我们在量磁盘(QDks ) controllably 在顶(001 ) 上形成了的 InGaAs 上报导 nano 有图案的 GaAs 金字塔形的平台的方面。QDks 展览有特殊方面和改变的尺寸的金字塔形的形状,取决于 GaAs 金字塔形的缓冲区和扔的 InGaAs 的数量。QDks 的形成被 InGaAs 层并且此后的增生解释小 InGaAs 岛的结合。整体 QDks 和激子的光致发光(PL ) 特征一起单个 QDks 展示证明我们可以完成转变从零维(0D ) 到二维(2D ) 有增加 QDk 的量结构尺寸。这转变提供灵活性连续地定制维数,随后,经由为设备应用的控制地点的自我装配的取向附生的半导体 nanostructures 的量监禁基于单个量组织。Baolai Liang Ping-Show Wong Thai Tran Vitaliy G. Dorogan Yuriy I. Mazur Morgan E. Ware Gregory J. Salamo Chih-Kang Shih Diana L. Huffaker 2013Nano Research2013，6，4：0
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