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10篇 您的检索式：作者名="Oguey H"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	A CMOS current reference without resistance 显示文摘	OGUEY H J AEBISCHER D	1997	IEEE J Sol Sta Circ1997，32，7：	1
	2	CMOS current reference without resistance 显示文摘	Oguey H Aebischer D	1997	IEEE J Sol Sta Circ1997，32，7：	1
	3	CMOS current reference without resistance显示文摘	Oguey H J Aebischer D	1997	1EEE Journal of Solid-State Circuits1997，32，11：	1
	4	CMOS current reference without resistance显示文摘	OGUEY H J AEBISHER D	1997	IEEE Journal of Solid-state1997，32，7：	1
	5	MOS voltage reference based on polysilicon gate work function difference显示文摘	Oguey H J Gerber B	1980	IEEE Journal of Solid-State Circuits1980，15，6：	1
	6	MOS voltage reference based on polysilicon gate work funetion difference显示文摘	Oguey H J Gerber B	1980	IEEE J Solid-State Circuits1980，15，3：	1
	7	Monolithic Position Encoder with On Chip Photodiodes显示文摘	Aubert P Oguey H J Vuilleumier R	1988	IEEE Journal of Solid State Circuit1988，23，2：	1
	8	MOS voltage reference based on polysilicon gate work function difference显示文摘	H J Oguey B Gerber	1980	IEEE J Solid State Circuit1980，15，6：	1
	9	CMOS current reference without resistance 显示文摘	OGUEY H J AEBISCHER D	1997	IEEE Journal of Solid-State Cir- cuits1997，32，7：	1
	10	灵敏的CMOS温度传感器显示文摘<正>已经报道了几个用双极型技术制造的灵敏温度传感器.我们这里的目的是用标准的阱CMOS技术制造一个灵敏的传感器,这个传感器不但要和双极型技术制成的传感器有同样的精度和稳定性,而且还要增加CMOS技术固有的数学处理能力.采用的电路包括四个主要部分:(1)、一个与温度有关的电流源;(2)、一个参考电流源;(3)、一个电流一频率转换器;(4)、一个数字信号处理器.第(1)部分用两个横向晶体管产生的PTAT电压~2;它的工艺与任何标准CMOS工艺兼容.这一部分作为温度一电流转换器.第(2)部分为芯片上的A/D转换器产生一个电流参考源.它组合了两部分电流;	P·Krummenacher H·Oguey 柯导明	1990	电子器件1990，13，3：	0

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