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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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12篇 您的检索式：作者名="PRUNTY R"
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1Performance of the AlGaN HEMT structure with a gate extension 显示文摘TOMPSON R P PRUNTY R KAPER V 2001IEEE Transactions on Electron Devices2001，51，2：1
2Performance of the AlGaN HEMT structure with a gate extension 显示文摘THOMPSON R PRUNTY T KAPER V 2004IEEE Tran Electron Devices2004，51，2：1
3Per- formance of the AIGaN HEMT structure with a gate extension 显示文摘THUMPSON R PRUNTY T SHELY J R 2004IEEE Trans Elec Dev2004，51，2：1
4VLSI applicaion to ESM processing显示文摘Hann A C Cirucci J A Prunty D R 1987IBM Technical Direction IBM Federal Systems Division Owego1987，13，1：1
5Attentional bias in obsessional compulsive disorder 显示文摘Tata P R Leibowitz J A Prunty M J 1996Behaviour Research and Therapy1996，34，1：1
6Thermostructural concepts for hyperveloeity vehicles显示文摘Shih P K Prunty J Mueller R N 1991Journal of Aircraft1991，28，5：1
7Signal generation,control,and frequency conversion AlGaN/GaN HEMT MMICs显示文摘Kaper V S Thompson R M Prunty T R 2005IEEE Transactions on Microwave Theory and Thchniques2005，53，1：1
8Attentional bias in obsessional compulsive disorder显示文摘TATA P R LEOBOWITZ J A PRUNTY M J 1996Behav Res Therapy1996，34，1：1
9Nitrate leaching using two potato-corn N-fer- tilizer plans on sandy soil显示文摘Prunty L Greenland R 1997Agriculture Ecosystems & Environment1997，，：1
10performance of the AIGaN HEMT structure with a gate extension显示文摘TOMPSON R P PRUNTY R KAPER V 2001IEEE Transactions on Electron Devices2001，51，2：1
11Performance of the AlGaN HEMT structure with a gate extension显示文摘Thumpson R Prunty T Shely J R 2004IEEE Trans on Electron Devices2004，51，2：1
12Performance of the AlGaN HEMT structure with a gate extension显示文摘 Prunty T Kaper V 2004IEEE Electron Devices2004，51，2：1
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