|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火显示文摘利用连续Ar^+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd_2Si/GaAs(6.9×10^(17)cm^(-3))接触,得到了比接触电阻率为2.75×10^(-6)Ω·cm^2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接触具有良好的热稳定性。 | 方芳 S.S.Lau | 1990 | 中国激光1990，17，S1： | 0 |
| 2 | Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响显示文摘利用电子束蒸发依次将Pd,Si和Al淀积在掺杂浓度为2×10^(13)cm^(-3)的n型GaAs上,可以得到非合金、低阻的欧姆接触。比接触电阻率约为5×10^(-6)·cm^2。但经过高温(410℃),长时间热退火后,样品的表面会出现明显不平整,比接触电阻率会明显增加,在Al和Si/Pd之间加入一层Ti作为扩散势垒会使欧姆接触的热稳定性变好。但只有在Al和Ti之间的反应没有完全耗尽Ti时,扩散势垒才起作用。 | 方芳 L.C.Wang S.S.Lau | 1990 | 电子学报1990，18，5： | 0 |
| 3 | 硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触显示文摘用离子束混合Si(700A)/C样品,在天然Ⅱb型金刚石上形成了梯度能带接触。选用Ge^+为注入离子,在能量120keV,剂量2.0×10^(16)cm^(-2),温度700℃下进行离子束混合。Rutherford背散射显示:有3—4%的Si与金刚石混合。红外吸收谱发现了Si—C键的形成,这表明形成了Si/SiC/C的梯度结构。Ⅰ—Ⅴ特性说明了离子束混合和高温热退火有助于欧姆接触的形成。而没有经过离子束混合的样品显示了Ⅰ—Ⅴ开路特性。 | 方芳 S.S.Lau | 1990 | Journal of Semiconductors1990，11，6： | 0 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员