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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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13篇 您的检索式：作者名="TOMM Y"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1查看详情显示文摘Li H C Sakamoto Y Liu Z Ohsuma T Terasaki O Tommes M Che S N 0，，：1
2Effects of Dop ing on the Electronic Properties of Semiconducting Iron Disilicide显示文摘 Ivaneko L Irmscher K 1996Materials Science and Engineering1996，37，：1
3CuAlO2 prepared by ion exchange from LiAlO2显示文摘Dloczik L Tomm Y Konenkamp R 2004Thin Solid Films2004，，1：1
4Growth mecha-nism and electronic properties of doped pyrite(FeS2) crystals显示文摘 Schieck R Ellmer K 1995Journal of Crystal Growth1995，146，14：1
5Floating zone growth of β- Ga2Oa : a new window material for optoelectronic device applications 显示文摘TOMM Y KO J M YOSHIKAWA A 2001Solar Energy Materials and solar Cells2001，66，6：1
6Czochralski Grown Ga2O3Crystal显示文摘Tomm Y Reiche P Klimm D 2000Journal of Crystal Growth2000，220，：1
7On the homogeneity region, growth modes and optoelectronic properties of chalcopyrite-type CuInS2 显示文摘Fiechter S Tomm Y Kanis M 2008Phys Stat Sol (b)2008，245，9：1
8Czochralski grown Ga2O3 crystals显示文摘 Reiche P Klimm D 2000Journal of Crystal Growth2000，220，：1
9Hole mobility in Crdoped p-type β-FeSi2 single crystals显示文摘Axushanov E Tomm Y Ivanenko L 1998Phys Stat Sol(b)1998，210，1：1
10显示文摘Tomm Y Reiche P 2000J Crystal Growth2000，220，：1
11In vitro and in vivo protein delivery from in situ forming poly ( ethylene glycol) -poly (lactide) hydrogels 显示文摘Hiemstra C Zhong Z Y van Tomme S R 2007J Control Rel2007，119，3：1
12Effects of Doping on the Electric Properties of Semiconducting Iron Disilicide 显示文摘Tomm Y lvaneko L 1996Materials Science and Engineering1996，37，：1
13Floating zone growth of beta-Ga2 03 : A new window material for optoelec- tronic device applications 显示文摘Tomm Y Ko J M Yoshikawa A 2001Solar Energ Mater Solar Cells2001，66，14：1
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