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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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12篇 您的检索式：作者名="WAHAB Q"
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1Ionization rates and critical fields in 4H silicon carbide显示文摘KONSTANTINOV A O WAHAB Q NORDEI L N 1997Appl Phys Lett1997，70，5：1
2Growth of epitaxtial 3C- SiCfilms on (111)Si substrates at 850 by reactive magnetron sputting显示文摘Wahab Q Glass R C Ivanov I P 1993Journal of Applied Physics1993，74，3：1
3Growth of high quality 3C - SiC epitaxtial films on off- axis Si(011) substrates at 850℃ by reactive magnetron sputting显示文摘Wahab Q Sardela M R Hultman L 1994Applied Physics Letters1994，65，6：1
4Growth and characterization of 3C - SiC film on Si substrates by reactive magnetron sputting; effects of CH4 partial press on the crystalline quality, structure and stoichiometry显示文摘Wahab Q Hultman L Ivanov I P 1995Thin Solid Films1995，261，：1
5A 3 k V Schottky barrier diode in 4H-Si C显示文摘WAHAB Q KIMOTO T ELLISON A 1998Applied Physics Letters1998，72，4：1
6Growth and characterization of 3C-SiC films on Si substrates by reactive magnetron sputtering; effects of CH∥4 partial pressure on the crystalline quality, structure and stoichiometry 显示文摘Wahab Q Hultman L Ivanov I P 1995Thin Solid Films1995，261，：1
7Growth of epitaxial 3C-SiC films on (111)Si substrates at 850 ℃ by reactive magnetron sputtering显示文摘Wahab Q Glass R S C Ivanov I P 1993Journal of applied physics1993，74，：1
8Ionization and critical fields in 4H silicon carbide显示文摘Konstantinov A Wahab Q Nordell N 1997Appl Phys Lett1997，71，1：1
9Ionization rates and critical fields in 4HSiC junction devices显示文摘Konstantinov A O Wahab Q Nordell N 1998Materials Science Forum1998，，：1
10Growth of epitaxial 3C-SiC films on (111) silicon substrates at 850℃ by reactive magnetron sputtering显示文摘WAHAB Q GLASS R C IVANOV I P 1993J Appl Phys1993，74，3：1
11Silicon carbide and diamond for high temperature device applications显示文摘WILLANDER M FRIESEL M WAHAB Q 2006Journal of Materials Science: Materials in Electronics2006，17，1：1
12Silicon carbide and diamond for high temperature device applications 显示文摘WILLANDER M FRIESEL M WAHAB Q U 2006Journal of Materials Science Materials in Electronics2006，17，1：1
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