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10篇 您的检索式：作者名="WANN H J"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	MOSFET carrier mob ility model based on gate oxide thickness threshold and gate voltages显示文摘	Chen K Wann H Dunster J	1996	Solid-State Electronics1996，39，10：	1
	2	Effects of N2O anneal and reoxidation on thermal oxide characteristics显示文摘	LIU Z H WANN H J KO P K	1992	IEEE Electron Device Letters1992，13，8：	1
	3	Short-channel effect improved by lateral channel-engineering in deep-submicrometer MOSFETs显示文摘	Yu B Wann C H J Nowak E D	1997	IEEE Trans on Electron Devices1997，44，4：	1
	4	Physically based modelingand animation of fire显示文摘	Quang N D Ronald F Wann J H	2002	ACM Transactions on Graphics2002，21，3：	1
	5	Physically based modeling and animation of fire 显示文摘	QUANG N D RONALD F WANN J H	2002	ACM Transactions on Graphics2002，21，3：	1
	6	Co-processing of Agricultural with Coal and Biomass Waste显示文摘	Stiller A H Dadyburjor D B Wann J P	1996	Fuel Processing Technology1996，49，：	1
	7	Co -processing of Agricultural with Coal and Biomass Waste 显示文摘	Stiller A H Dadyburjor D B Wann J P	1996	Fuel Process- ing Technology1996，49，：	1
	8	Short-channel effect improved by lateral channel-engineeringin deep-submicronmeter MOSFET*s 显示文摘	YU B WANN C H J NOWAK E D	1997	IEEE TransElec Dev1997，44，4：	1
	9	Short-channel effect improved by lateral channel-engineering in deepsubmicrometer MOSFETs显示文摘	Yu B Wann C H J Nowak E D	1997	IEEE Trans on Electron Devices1997，44，4：	1
	10	Shortchannel effect improved by lateral channel-engineering in deep-submicrometer MOSFET's 显示文摘	YUB WANN C H J NOWAK ED	1997	IEEE Trans Elec Dev1997，44，4：	1

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