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1篇 您的检索式:作者名="Z.R.Dai"
    题名 作者 年代 出处 被引量
1并列双轴结构的碳化硅-氧化硅纳米线的合成、结构和力学性能显示文摘高温合成被用来制备并列双轴结构的碳化硅一氧化硅纳米线。高密度微孪晶的纳米线,其轴生长方向接近于[311],而无缺陷的纳米线的轴生长方向是[211]。用透射电镜观察了这些纳米线的结构和横截面的形状以及它们在双轴和同轴特征间的转变。双轴结构纳米线的杨式模量随纳米线尺寸不同在0-70GPa之间。Z.L.Wang Z.R.Dai R.P.Gao Z.G.Bai J.L.Golec 商佳程(译) 孟庆阳(校) 2007国外核动力2007,28,1:0
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