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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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14篇 您的检索式：作者名="Zhenbin Ge"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Preparation of Ti3AlC2 and Ti2AlC by self-propagating high-temperature synthesis 显示文摘Aiguo Zhou Chang-an Wang Zhenbin Ge Lifeng Wu 2001Journal of materials science letters2001，20，：1
2Combustion Synthesis of Ternary Carbide Ti3AlC2 in Ti-Al-C System显示文摘Ge Zhenbin Chen Kexin Guo Junming 2003Journal of the European Ceramic Society2003，23，：1
3显示文摘Ge Zhenbin Chen kexin Guo Junming 2003Journal of the European Ceramic Society2003，23，：1
4Combustion synthesis of ternary Ti3 AlC2 in Ti-Al-C system显示文摘Ge Zhenbin Chen Kexin Guo Junming 2003Journal of the European Ceramic Society2003，23，：1
5Combustion synthesis of ternary carbide Ti 3 AlC 2 in Ti–Al–C system显示文摘Zhenbin Ge Kexin Chen Junming Guo Heping Zhou José M.F Ferreira 2002Journal of the European Ceramic Society2002，，3：1
6Combustion syn-thesis of ternary carbide Ti3AlC2 in Ti-Al-C system显示文摘Ge Zhenbin Chen Kexin Guo Junming 2003Journal of the European Ceramic Society2003，23，：1
7Combustion synthesis of ternary carbide in the Ti- Al -C system显示文摘 CHEN Kexin GUO Junming 2003J Eur Ceram Soc2003，23，：1
8A novel route for preparing Ti3AlC2 ceramics显示文摘 GUO Junming GE Zhenbin 2002Rare Metal Mater Eng2002，31，3：1
9Conbusion synthesis of ternary carbide Ti3A1C2in Ti-A1-C system显示文摘GE Zhenbin CHEN Kexin 2003J Eur Ceram Soc2003，23，：1
10Conbusion synthesis of ternary carbide Ti3AlCzin Ti-Al-C system显示文摘GE Zhenbin CHEN Kexin J Eur Ceram Soc0，，：1
11Combustion synthesis of ternary carbide Ti3 AlC2 in Ti-Al-C system显示文摘Zhenbin Ge Kexin Chen 2003Journal of the European Ceramic Society2003，23，：1
12Combustion Synthesis of Ternary Carbide Ti3AlC2 in Ti-Al-C System显示文摘 Chen Kexin Guo Junming 2003Journal of the European Ceramic Society2003，23，：1
13Combustion Synthesis of Cabide Ti3AlC2 in Ti-Al-C System显示文摘 Chen Kexin Guo Junming 2003Journal of European Ceramic Society2003，23，：1
14先栅和替代栅方案中的高k/金属栅堆叠显示文摘以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用于Vt调整覆盖层)能分别调整PMOS和NMOS的有效功函数。改变TiN中Ti:N化学组分比能引起TiN功函数改变>250mV。在替代栅方案中筛选不同的功函数材料能获得NMOS和PMOS之间1V间隔。在铝生长过程中衬底的修正是在窄栅沟槽中获得无空洞铝间隙填充的关键。Sree Kesapragada Rongjun Wang Dave Liu Gaojun Liu Zhigang Xie Zhenbin Ge Haichun Yang Yu Lei Xinliang Lu Xianmin Tang Jianxin Lei Millen Allen Srinivas Gandikota Kevin Moraes Steven Hung Naomi Yoshida Chorng-Ping Chang 2013功能材料与器件学报2013，19，3：0
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