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| 1 | GaN——第三代半导体的曙光显示文摘自从蓝色GaN/GaInNLEDs研制成功之后,氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星.简要介绍了GaN的基本特性.探讨了材料的生长技术,包括衬底的选择和外延方法.最后给出了GaN基器件,如LEDs、LDs、FETs和探测器等的发展现状,同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景. | 梁春广 张冀 | 1999 | Journal of Semiconductors1999，20，2： | 86 |
| 2 | 半导体器件热特性的电学法测量与分析显示文摘利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具.本文利用电学法测量了GaAsMESFET在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系.理论计算也表明了这一点.在等功率条件下,电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少.该方法可用来判断器件的热不均匀性. | 冯士维 谢雪松 吕长志 张小玲 何焱 沈光地 | 1999 | Journal of Semiconductors1999，20，5： | 54 |
| 3 | 直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱显示文摘用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 . | 叶志镇 陈汉鸿 刘榕 张昊翔 赵炳辉 | 2001 | Journal of Semiconductors2001，22，8： | 49 |
| 4 | 硅集成电路光刻技术的发展与挑战显示文摘从微电子集成电路技术发展的趋势 ,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求 ,综述了当前主流的DU V光学曝光技术和新一代曝光技术中的 15 7nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战 .同时 ,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明 (OAI)、光学邻近效应校正 (OPC)、移相掩膜 (PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪 (resist trimm ing)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍 。 | 王阳元 康晋锋 | 2002 | Journal of Semiconductors2002，23，3： | 44 |
| 5 | 超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术显示文摘半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之一 .在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上 ,重点介绍和评述了低 k介质和 Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题 ,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等 | 王阳元 康晋锋 | 2002 | Journal of Semiconductors2002，23，11： | 44 |
| 6 | 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响显示文摘研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0~ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 . | 吕建国 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 汪雷 | 2003 | Journal of Semiconductors2003，24，7： | 46 |
| 7 | In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制显示文摘基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + | 陈猛 白雪冬 黄荣芳 闻立时 | 2000 | Journal of Semiconductors2000，21，4： | 40 |
| 8 | 氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算显示文摘以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 . | 范志新 孙以材 陈玖琳 | 2001 | Journal of Semiconductors2001，22，11： | 35 |
| 9 | Liquid Crystal Motion Picture Projector显示文摘LiquidCrystalMotionPictureProjector①SHIYongji(LuoyangTechnologyColege,Luoyang471003,CHN)Abstract:Aliquidcrystalmovingpicturep... | SHI Yongji(Luoyang Technology College,Luoyang 471003,CHN)Abstract: A liquid crystal moving picture projector and method are described.Light incident on a liquid crystal display-type device is selectively scattered or transmitted by respective portions of liquid crystal display,and a projection mechanism projects an image formed by either such scattered light or such transmitted light.A liquid crystal moving picture projector includes a liquid crystal display for creating characteristics of an image,and projecttion optics for projecting images sequentially created by the display.The display includes a liquid crystal material capable of temporary storing information at respective areas.The temporary storage may be a function of charge storing directly on liquid crystal material.A method of projecting plural images in sequence includes:creating an image or characteristics of an image in a liquid crystal material,storing such image in such liquid crystal material,directing light at such liquid crystal material,projecting such image as a function of light transmitted through or scattered by such liquid crystal material,and creating a further image in such liquid crystal material for subsequent projection. | 1997 | Semiconductor Photonics and Technology1997，3，3： | 35 |
| 10 | 形变超晶格的位错模型与粒子的退道效应显示文摘引入位错模型讨论粒子的退道效应 .把超晶格的沟道偏折等效为位错引起的沟道弯曲 ,并对刃型位错的退道行为作了具体分析 .利用正弦平方势 ,把粒子运动方程化为具有外力矩的摆方程 ,用能量法分析了系统的相平面特征 ,导出了系统的退道系数 . | 罗诗裕 周小方 林钧锋 马如康 邵明珠 | 2003 | Journal of Semiconductors2003，24，5： | 32 |
| 11 | ULSI硅衬底的化学机械抛光显示文摘在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素 ,而不是单纯受粒径大小的影响 .分析和讨论了 CMP工艺中的几个影响因素 ,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等 .采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗 ,表面颗粒数优于国际 SEMI标准 。 | 张楷亮 刘玉岭 王芳 李志国 韩党辉 | 2004 | Journal of Semiconductors2004，25，1： | 31 |
| 12 | 高精度带隙基准电压源的实现显示文摘提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0~ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W. | 江金光 王耀南 | 2004 | Journal of Semiconductors2004，25，7： | 28 |
| 13 | ZnTe Cu薄膜的制备及其性能显示文摘用共蒸发法在室温下沉积了 Zn Te∶ Cu多晶薄膜 .刚沉积的不掺 Cu的薄膜呈立方相 ,适度掺 Cu时为立方相和六方相的混合相 .随着 Cu含量的增加 ,六方相增加 ,光能隙减小 .根据暗电导温度关系 ,结合 XRD和 DSC的结果 ,认为在 110℃、170℃开始出现类 Cu Te、类 Cu2 Te相以及 Cu0、Cu+离解的结果导致电导温度关系异常 ,应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为 11.6 % ,面积为 0 .5 2 cm2 的 Cd S/Cd Te/Zn Te∶ | 郑家贵 张静全 蔡伟 黎兵 蔡亚平 冯良桓 | 2001 | Journal of Semiconductors2001，22，2： | 27 |
| 14 | 半导体温差发电器性能的优化分析显示文摘本文应用有限时间热力学理论分析半导体温差发电器的优化性能,导出在导热、热漏和焦耳热三种主要不可逆因素影响下发电器的输出功率和效率,由此讨论了发电器的性能与其半导体材料、元件结构以及负载电阻等之间的关系,获得一系列重要结论,它对如何合理地选择发电器的负载电阻和优化半导体元件等提供了一些新的理论依据. | 陈金灿 严子浚 | 1994 | Journal of Semiconductors1994，15，2： | 26 |
| 15 | 实现气敏元件灵敏度倍增的一种方法显示文摘本文提出一种提高气敏元件灵敏度的方法,这种方法可实现灵敏度的倍增.元件结构为N-P型,元件的工作机制是互补倍增原理.研究表明,在适当条件下,整体气敏元件的灵敏度等于构成它的N、P两种敏感体各自灵敏度的乘积.此外,这种新型气敏元件还可提高热稳定性,减小零点漂移,甚至提高选择性等.本文在理论上给出了实现上述特性的条件. | 吴兴惠 李艳峰 周桢来 田子华 | 1994 | Journal of Semiconductors1994，15，9： | 26 |
| 16 | 正弦平方势与形变超晶格系统的混沌行为显示文摘假设超晶格“折沟道”对粒子的作用等效为形状相似的周期调制 ,利用正弦平方势把粒子运动方程化为具有阻尼力和周期调制的非线性微分方程 .利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉和它的混沌行为 .指出了超晶格沟道效应的无规现象与系统混沌的相关性 . | 邓成良 罗诗裕 邵明珠 | 2005 | Journal of Semiconductors2005，26，2： | 25 |
| 17 | 多晶硅薄膜应力特性研究显示文摘本文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果,用XRD、RED等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成.结果表明,LPCVD制备的多晶硅薄膜具有本征压应力,其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响.采用快速退火(RTA)可以使其压应力松弛,减小其内应力,并可使其转变成为本征张应力,以满足在微机电系统(MEMS)制备中的要求. | 张国炳 郝一龙 田大宇 刘诗美 王铁松 武国英 | 1999 | Journal of Semiconductors1999，20，6： | 25 |
| 18 | TiO_2薄膜的制备及结构研究显示文摘本文探讨了用平面磁控溅射法制备TiO2薄膜.研究了TiO2薄膜结构随溅射条件(衬底温度、氧分压、工作气压)的变化.用X射线衍射(XRD)测薄膜结构,用X射线光电子能谱(XPS)测薄膜钛氧成分比.得到了制备金红石相和锐钛矿相TiO2薄膜的最佳工艺参数. | 孟宪权 王君 何磊 范湘军 | 1999 | Journal of Semiconductors1999，20，5： | 26 |
| 19 | 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征显示文摘采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光谱分析了经过 5 0 0~ 70 0℃热处理获得的 Zn O薄膜 ,结果表明 Zn O薄膜在室温下有较强的紫外带边发射 ,但当热处理温度高于 70 0℃时 。 | 季振国 宋永梁 杨成兴 刘坤 王超 叶志镇 | 2004 | Journal of Semiconductors2004，25，1： | 25 |
| 20 | 一种高性能CMOS带隙电压基准源设计显示文摘采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0~ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm. | 朱樟明 杨银堂 刘帘曦 朱磊 | 2004 | Journal of Semiconductors2004，25，5： | 25 |
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