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| 1 | 视网膜母细胞瘤的治疗进展显示文摘当前对视网膜母细胞瘤 (RB)的治疗方法包括化学减容法 (chemoreduction)、经瞳孔温热疗法 (TTT)、冷冻疗法、激光光凝、巩膜敷贴放射治疗、外照射放射治疗、眼球摘除、眶内容剜除和全身化学治疗。近年来 ,对于单眼为 Reese- Ellsworth V级肿瘤的患者行眼球摘除术、I~ IV级的患眼则采用化学减容法或局部治疗方法 ;对于大部分双眼 RB患者采用化学减容治疗 ,而对双眼病变程度极不对称的病例 ,在摘除高度进展患眼后 ,肿瘤较小的对侧眼常采用保守的局部治疗。 | Carol L.Shields 孙红 张军军 Jerry A.Shields | 2004 | 中华眼底病杂志2004，20，3： | 23 |
| 2 | 视网膜母细胞瘤的临床表现和诊断显示文摘视网膜母细胞瘤 (RB)是一种好发于 3岁以下儿童的高度恶性眼内肿瘤 ,其临床表现因就诊时疾病所处的阶段不同而不同。可表现为视网膜感觉层内的透明或半透明病灶 ;朦胧可见视网膜血管的白色混浊团块 ;继发视网膜脱离的视网膜下黄白色肿物等。任何大小的 RB均可表现为白瞳症。最常见的假性RB包括永存增生性原始玻璃体、Coats病和眼弓蛔虫病。对可疑 RB患儿的正确诊断过程 ,应包括详细的病史采集、体格检查、外眼检查、裂隙灯生物显微镜检查、结合巩膜压迫法的双目间接检眼镜检查等。B型超声和 CT检查可显示眼内肿瘤并检测出肿块内可能存在的钙化 ;MRI通常不能检测出钙化 ,但对评估视神经、眼眶和脑内是否有转移极具价值 ;光相干断层扫描可用于对化学药物治疗不敏感的囊性 RB检查以及评估随访患者的黄斑解剖结构。外周血和肿瘤组织的 DNA检测分析有助于鉴定患者是否存在种质(germline)突变。对具有 13号染色体长臂缺失综合征或其他面部畸形特征的儿童 ,染色体组型分析有可能早期检测出 RB。 | Carol L.Shields 孙红 张军军 Jerry A.Shields | 2004 | 中华眼底病杂志2004，20，2： | 15 |
| 3 | Relative Income,Happiness,and Utility:an Explanation for the Easterlin Paradox and Other Puzzles显示文摘 | Clark Andrew E Paul Frijters Michael A.Shields | | 0，，46： | 1 |
| 4 | 结膜痣410例连续患者的临床特点和自然病程显示文摘目的描述结膜痣的临床特点,评价在长期病损出现的颜色和尺寸变化。设计:回顾性、观察性、非对比性病例系列。参考者:410例结膜痣的连续病例。主要结果测量:2个主要结果度量标准是肿瘤颜色和大小的变化。结果在410例患者中365(约89%)是白种人,23例(约6%)是非裔美国人,8例(约2%)是亚洲人,8例(约2%)是印第安人,6例(约1%)是西班牙裔。虹膜颜色55%(229/418)是棕色,20%(85/418)是蓝色,20%(83/418)是绿色,5%(21/418)未说明。痣的颜色65%是棕色,19%是褐色,16%完全没有色素。痣的解剖位置在球结膜的为72%(302只眼),在泪阜的占15%(61只眼),在半月皱襞的占11%(44只眼),在穹隆的占1%(6只眼),在睑板的占1%(3只眼)和在角膜的占<1%(2只眼)。球结膜病变多比邻于角巩膜缘。结膜痣的角限位置分为颞侧(190只眼,46%),鼻侧(184只眼,44%),上方(23只眼,6%)和下方(21只眼,5%)。附加的特点还有病损内囊肿(65%),供血血管(33%)和可见自身血管(38%)。囊肿在70%组织病理学检查中已经确诊为混合性结膜痣,在上皮下痣中的几率为58%,在交界性痣中为40%,在蓝色痣中为0。在149例定期随访平均11a的患者中,病变颜色逐渐变深的为5%(7例),逐渐变浅的为8%(12例),颜色不发生变化的为87%(130例)。病损尺寸有增大的为7%(10例),出现缩少的为1%(1例),? | Carol L.Shields Airey Fasiudden Arman Mashayekhi Jerry A.Shields | 2005 | 眼科新进展2005，25，3： | 0 |
| 5 | 冥古宙与地球历史如何开始的问题显示文摘2022年10月5日,国际地质科学联合会(IUGS)批准了国际地层委员会(ICS)提交的关于'冥古宙(宇)底界全球标准地层年龄(GSSA)'的提案,将年龄值4567.30±0.16Ma作为冥古宙(宇)底界全球标准年龄值,并在2022年10月版的《国际年代地层表》中进行了更新。 | Graham A.SHIELDS | 2022 | 地层学杂志2022，46，4： | 0 |
| 6 | Displacement Talbot lithography for nanoengineering of III-nitride materials显示文摘Nano-engineering III-nitride semiconductors offers a route to further control the optoelectronic properties,enabling novel functionalities and applications.Although a variety of lithography techniques are currently employed to nanoengineer these materials,the scalability and cost of the fabrication process can be an obstacle for large-scale manufacturing.In this paper,we report on the use of a fast,robust and flexible emerging patterning technique called Displacement Talbot lithography(DTL),to successfully nano-engineer III-nitride materials.DTL,along with its novel and unique combination with a lateral planar displacement(D^(2)TL),allow the fabrication of a variety of periodic nanopatterns with a broad range of filling factors such as nanoholes,nanodots,nanorings and nanolines;all these features being achievable from one single mask.To illustrate the enormous possibilities opened by DTL/D2TL,dielectric and metal masks with a number of nanopatterns have been generated,allowing for the selective area growth of InGaN/GaN core-shell nanorods,the top-down plasma etching of III-nitride nanostructures,the top-down sublimation of GaN nanostructures,the hybrid top-down/bottom-up growth of AlN nanorods and GaN nanotubes,and the fabrication of nanopatterned sapphire substrates for AlN growth.Compared with their planar counterparts,these 3D nanostructures enable the reduction or filtering of structural defects and/or the enhancement of the light extraction,therefore improving the efficiency of the final device.These results,achieved on a wafer scale via DTL and upscalable to larger surfaces,have the potential to unlock the manufacturing of nano-engineered III-nitride materials. | Pierre-Marie Coulon Benjamin Damilano Blandine Alloing Pierre Chausse Sebastian Walde Johannes Enslin Robert Armstrong Stephane Vezian Sylvia Hagedorn Tim Wernicke Jean Massies Jesus Zuniga‐Perez Markus Weyers Michael Kneissl Philip A.Shields | 2019 | Microsystems & Nanoengineering2019，5，1： | 0 |
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