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11篇 您的检索式：作者名="Ahlbin"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Single-event transient pulse quenching in advanced CMOS logic circuits 显示文摘	AHLBIN J R MASSENGILL L W BHUVA B L	2009	IEEE Trans Nucl Sci2009，56，6：	1
	2	Scaling trends in SET pulse widths in sub-100 nm bulk CMOS processes 显示文摘	GADLAGE M J AHLBIN J R NARASIMHAM B etal	2010	IEEE Transactions on Nu- clear Science2010，57，6：	1
	3	Scal-ing trends in SET pulse widths in sub-100 nm bulk CMOS processes显示文摘	Gadlage M J Ahlbin J R Narasimham B		0，，06：	1
	4	C- CREST technique for combinational logic SET testing 显示文摘	AHLBIN J R BLACK J D MASSENGILL L W	2008	IEEE Trans Nucl Sci2008，55，6：	1
	5	Single-event transient pulse quenching in advanced CMOS logic circuits显示文摘	AHLBIN J R MASSENGILL L W BHUVA B L	2009	IEEE Trans Nucl Sci2009，56，6：	1
	6	Influence of N-well contact area on the pulse width of single-event transients显示文摘	Ahlbin J R Atkinson N M Gadlage M J	2011	IEEE Transactions on Nuclear Science2011，58，6：	1
	7	Single-event transient pulse quenching in advanced CMOS logic circuits 显示文摘	AHLBIN J R MASSENGILL L W BHUVA B L	2009	IEEE Trans Nucl Sci2009，56，6：	1
	8	Single-event transient pulse quenching in advanced CMOS logic circuits显示文摘	Ahlbin J R Massengill L W Bhuva B L	2009	IEEE Transactions on Nuclear Science2009，56，6：	1
	9	Effect of multiple-transistor charge collection on sin- gle-event transient pulse widths显示文摘	Ahlbin J R Gadlage M J Atkinson N M	2011	Device & Mat Reliability IEEE Trans2011，11，3：	1
	10	Single-event transient pulse quenching in advanced CMOS logic circuits显示文摘	Ahlbin J R Massengill L W Bhuva B L		0，，06：	1
	11	The effect of layout topology on single-event transient pulse quenching in a 65 nm bulk CMOS process显示文摘	Ahlbin J R Gadlage M J Ball D R		0，，06：	1

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