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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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15篇 您的检索式：作者名="Ahyi"
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1Roles of lung epithelium in neutrophil recruitment during pneumococcal pneumonia显示文摘Yamamoto K Ahyi A N PepperCunningham Z A 2014Am J Respir Cell Mol Biol2014，50，2：1
2Formation,etching and electrical characterization of a thermally grown gallium oxide on the Ga-face of a bulk GaN substrate显示文摘ZHOU Yi AHYI Claude ISAACSSMITH Tamara 2008Solid-State Electron2008，52，：1
3Scaling between channel mobility and interface state density in SiC MOSFETs显示文摘Rozen J Ahyi A C Zhu X G 2011IEEE Transactions on Electron Devices2011，58，11：1
4Roles of lung epithelium in neutrophil recruitment during pneumococcal pneumonia显示文摘Yamamoto K Ahyi AN Pepper-Cunningham ZA 2014AmJ Respir Cell Mol Biol2014，50，2：1
5加拿大艾伯塔省福克斯克里克附近潜在水压致裂诱发地震的震源分析显示文摘2015年6月13日,在加拿大西部艾伯塔省中部发生了4.4级(M_L)地震,这是2015年福克斯克里克附近页岩气勘探区发生的第三次有感地震事件。我们对该区域宽频带数据进行地震矩张量反演得到的结果显示为近垂直于断层走向的强走滑机制解。地震矩张量解的分解绝大多数是双力偶,而补偿线性向量偶极作用甚微(约20%)。此次地震的震源深度是3~4km,靠近沉积层底部,其矩震级(M=3.9)远小于最初报道的M_L值。震源位置、深度和震源机制有利于证明此次地震与迪韦奈页岩区域水压致裂作业之间存在潜在联系。Ruijia Wang Yu Jeffrey Gu Ryan Schultz Ahyi Kim Gail Atkinson 邹长桥(译) 朱玉萍(校) 2017世界地震译丛2017，48，3：1
6IFN Hegulatory Factor 4 Regulates the Expression of a Suhset of Th2 Cylokilles显示文摘Ahyi AN Chang HC Dent AL 2009Immunol2009，183，3：1
7IFN regulatory factor 4 regulates the expression of a subset of Th2 cytokines显示文摘Ahyi AN Chang HC Dent AL 2009J Immunol2009，183，3：1
8IFN regulatoryfactor 4 regulates the expression of a subset of Th2 cytokines显示文摘Ahyi A N Chang H C Dent AL 2009J Immunol2009，183，3：1
9Nitrogen and hydrogen induced trap passivation at the Si02/4H-SiC interface显示文摘DHAR S WANG S AHYI A C 2006Materials Science Forum2006，，：1
10IFN regulatory factor 4 reg- ulates the expression of a subset of Th2 cytokines 显示文摘Ahyi A N Chang H C Dent A L 2009J Immunol2009，183，3：1
11The effects of nitrogen plasma anneals on interface trap density and channel mobility for 4HSiC MOS devices显示文摘Zhu X Ahyi A C Li M 0，，：1
12IFN regulatory factor 4 regulates the expression of a subset of Th2 cytokines显示文摘Ahyi AN Chang HC Dent AL 0，，03：1
13The ef- fect of nitrogen plasma anneals on interface trap densi- ty and channel mobility for 4H-SiC MOS devices显示文摘Zhu Xingguang Ahyi A C Li Mingyu 2011Solid-state Electronics2011，57，1：1
14High breakdown voltage Schottky rectifier fabricated on bulk n-GaN substrate 显示文摘Zhou Y Wang D Ahyi C 2006Solid-state Electronics2006，50，1112：1
15Proton radiation effects in 4H-SiC diodes and MOS capacitors显示文摘Luo Z Y Chen T B Ahyi A C 2004IEEE Trans Nucl Sci2004，51，6：1
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