| 1 | GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究显示文摘研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响.同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点.应变补偿量子阱激光器在波长为1.3μm附近激射,阈值电流密度约为1.8kA/cm2. | 江德生 王江波 C.Navarro 陈志标 俞水清 S.Chaparro S.Johnson 曹勇 张永航 江德生 梁晓甘 | 2002 | 红外与毫米波学报2002，21，z1： | 2 |
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