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15篇 您的检索式：作者名="Chui C O"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	血管性认知障碍的诊断标准:国际血管性行为与认知障碍学会的申明显示文摘长期以来,脑血管病(CVD)就被认为是认知损害的一个重要原因,但是有关脑血管病后认知障碍的概念化却有着一段多变的历史。'动脉变硬'或脑的动脉粥样硬化是'老化'的原因,是存在已久的观点,在20世纪60年代受到了来自英格兰纽卡斯尔的神经病理学研究的质疑。这些研究表明,血管性痴呆(vascular dementia,Va D)与超过一定程度的多发性脑梗死有关。	徐岩郭起浩 Sachdev P Kalaria R O'Brien J Skoog I Alladi S Black SE Blacker D Blazer DG Chen C Chui H Ganguli M Jellinger K Jeste DV Pasquier F Paulsen J Prins N Rockwood K Roman G Scheltens P	2014	神经病学与神经康复学杂志2014，11，3：	19
	2	Synthe- sized compact models and experimental verifications for substrate noise coupling in mixed-signal ICs显示文摘	LAN H CHEN T W CHUI C O	2006	IEEE Journal of Solid-State Circuits2006，41，8：	1
	3	Nanoscale germanium MOS Dielectrics-part Ⅱ:high κ gate dielectrics显示文摘	Chui C O Kim H Chi D	2006	IEEE Trans Electron Devices2006，53，7：	1
	4	Activation and diffusion studies of ion-implanted p and n dopants in germanium显示文摘	CHUI C O GOPALAKRISHNAN K GRIFFIN P B	2003	Appl Phys Lett2003，83，16：	1
	5	Compactly supported tight and sibling frames with maximum vanishing moments显示文摘	Chui C K He W J St(o)ckler J		0，，03：	1
	6	Engineering chemically abrupt high-k metal oxide/silicon interfaces using an oxygen-gettering metal overlayer 显示文摘	KIM H MCINTYRE P C CHUI C O	2004	Journal of Applied Physics2004，96，6：	1
	7	Sealability and electrical properties of Germanium oxynitride MOS dielectric显示文摘	CHUI C O ITO F SARASWAT K C	2004	IEEE Electron Device Letters2004，25，9：	1
	8	Leakage suppression by asymmetric area electrodes in metal-semiconductor-metal photodetectors 显示文摘	Okyay A K Chui C O Saraswat K C	2006	Applied Physics Letters(S0003-6951)2006，88，6：	1
	9	Nano scale getananium MOS dielectrics-part lI:high-k gate dielectrics 显示文摘	CHUI C O KIM H CHI D	2006	IEEE Trans on Electron Devices2006，53，7：	1
	10	Saraswat nanoscale germanium MOS dielectrics-Part Ⅱ:High-k gate dielectrics显示文摘	Chui C O Kim H Chi D	2006	IEEE Trans Electron Devices2006，53，7：	1
	11	Influence of electron-beam radiation on the hydrolytic degradation behaviour of poly (lactide-co-glycolide) (PLGA) 显示文摘	Chui P O Yin C F B	2005	Biomaterials2005，26，18：	1
	12	Scalability and electrical properties of Germanium oxynitride MOS dielectric显示文摘	Chui C O Ito F Saraswate K C	2004	IEEE Electron Device Letters2004，25，9：	1
	13	Germanium MOS capacitors incorporating ultrathin high- k gate dielectric显示文摘	Chui C O Ramanathan S Triplett B B	2002	IEEE Electron Dev Lett2002，23，8：	1
	14	Activation and diffusion studies of ion-implanted p and n dopants in germanium显示文摘	CHUI C O GOPALAKRISHNAN K GRIFFIN P B	2003	Applied Physics Letters2003，83，16：	1
	15	Germanium n-type shallow junction activation dependences显示文摘	CHUI C O KULIG L MORAN J	2005	Applied Physics Letters2005，87，9：	1

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