维普中文期刊产品整合服务
6篇 您的检索式:作者名="Kesapragada"
    题名 作者 年代 出处 被引量
1Densification of LSGM electrolytes using activated microwave sintering显示文摘KESAPRAGADA S V BHADURI S B BHADURI S 2003Journal of Power Sources2003,124,:1
2Densification of LSGM electrolytes using activated microwave sintering显示文摘Kesapragada S V Bhaduri S B Bhaduri S 2003Journal of Power Sources2003,124,:1
3Densification of LSGM electrolytes using activated microwave sintering显示文摘Kesapragada S V Bhaduri S B Bhaduri S 2003Journal of Power Sources2003,124,:1
4Densification of LSGM electrolytes using activated microwave sintering 显示文摘Kesapragada S V Bhaduri S B Bhaduri S 2003J Power Sources2003,124,2:1
5Nanospring pressure sensors grown by glancing angle doposition显示文摘Kesapragada S V Victor P Nalamasu O 0,,04:1
6先栅和替代栅方案中的高k/金属栅堆叠显示文摘以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用于Vt调整覆盖层)能分别调整PMOS和NMOS的有效功函数。改变TiN中Ti:N化学组分比能引起TiN功函数改变>250mV。在替代栅方案中筛选不同的功函数材料能获得NMOS和PMOS之间1V间隔。在铝生长过程中衬底的修正是在窄栅沟槽中获得无空洞铝间隙填充的关键。Sree Kesapragada Rongjun Wang Dave Liu Gaojun Liu Zhigang Xie Zhenbin Ge Haichun Yang Yu Lei Xinliang Lu Xianmin Tang Jianxin Lei Millen Allen Srinivas Gandikota Kevin Moraes Steven Hung Naomi Yoshida Chorng-Ping Chang 2013功能材料与器件学报2013,19,3:0
返回顶部 每页显示:
共1页 首页 上一页 第1页 下一页 末页 /1 跳转

网站首页 | 关于我们 | 联系我们 | 产品服务 | 客服中心 | 广告服务 | 版权声明 | 网站联盟 | 友情链接 | 售卡网点

版权所有© 渝B2-20050021-1 渝公网安备 50019002500403号 违法和不良信息举报中心

互联网出版许可证 新出网证(渝)字10号 全国400电话 - 免长途话费