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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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14篇 您的检索式：作者名="Kuklis M M"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Atomic layer deposition of gadolinium oxide films 显示文摘Kukli K Hatanpaa T Ritala M 2007Chemical Vapor Deposition2007，13，：1
2Atomic layer deposition of oxide thin films with metal alkoxides as oxygen sources显示文摘Ritala M Kukli K 2000Science2000，288，4：1
3Foot forces during exercise on the international space station显示文摘GENC K O GOPALAKRISHNAN R KUKLIS M M 2010Journal of Biomechanics2010，43，15：1
4Atomic layer epitaxy growth of tantalum oxide thin films from Ta(OC2H5)5 and H2O 显示文摘KUKLI K RITALA M LESKELA M 1995Journal of the Electrochemical Society1995，142，5：1
5Tailoring the dielectric properties of HfO2-Ta2O5 nanolaminates 显示文摘Kukli K Ihanus J Ritaler M 1996Appl Phys Lett1996，68，：1
6Rare-earth oxide thin films for gate dielectrics in microelectronics显示文摘Leskel(a) M Kukli K Ritala M 0，，1：1
7显示文摘Ritala M Kukli K Rahtu A 2000Science2000，288，：1
8Atomic layer deposition of hafnium dioxide films from hafnium tetrakis (ethylmethylamide) and water 显示文摘Kukli K Ritala M Sajavmara T 2002Chem Vapor Depos2002，8，5：1
9Foot forces during exercise on the International Space Station显示文摘Genc K O Gopalakrishnan R Kuklis M M 2010Journal of Biomechanics2010，43，15：1
10显示文摘Kukli K Ritala M Sajavaara T 2002Chem Vap Deposition2002，8，：1
11Rare-earth Oxide Thin Films for Gate Dielectrics in Microelectronics 显示文摘LESKELA M KUKLI K RITALA M 2006J AlloysCompd2006，418，：1
12Comparison of hafnium oxide films grown by atomic layer deposition from iodide and chloride precursors 显示文摘KUKLI K RITALA M SAJAVAARA T 2002Thin Solid Films2002，416，12：1
13Properties of hafnium oxide films grown by atomic layer deposition from hafnium tetraiodide and oxygen 显示文摘KUKLI K RITALA M SUNDQVIST J 2002JAP2002，92，10：1
14Rare earth oxide thin films for gate dielectrics in microelectronics显示文摘Leskela M Kukli K Ritala M 2006J Alloy Compd2006，418，：1
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