| 2 | 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心显示文摘应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (~ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类 | 卢励吾 张砚华 K.K.Mak Z.H.Ma J.Wang I.K.Sou Wei kun Ge | 2001 | Journal of Semiconductors2001，22，2： | 1 |
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