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7篇 您的检索式：作者名="K.L.Wang"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	查看详情显示文摘	I.V.Ovchinnikov K.L.Wang		0，，：	1
	2	查看详情显示文摘	I.V.Ovchinnikov K.L.Wang		0，，：	1
	3	查看详情显示文摘	G.Xu Jr.C.M.Torres J.Tang J.Bai E.B.Song Y.Huang X.Duan Y.Zhang and K.L.Wang		0，，03：	1
	4	查看详情显示文摘	J.Bai R.Cheng F.Xiu L.Liao MWang A.Shailos K.L.Wang Y.Huang and X.Duan		0，，09：	1
	5	查看详情显示文摘	F.X.Xiu L.A.He Y.Wang L.N.Cheng L.T.Chang M.R.Lang G.A.Huang X.F.Kou Y.Zhou X.W.Jiang Z.G.Chen J.Zou A.Shailos and K.L.Wang		0，，：	1
	6	砷化镓金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析显示文摘本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.	陈贵灿 K.L.Wang 刘之行邵志标	1990	西安交通大学学报1990，24，1：	1
	7	INVESTIGATION ON RESONANT TUNNELING IN GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBD USING TUNNELING SPECTROSCOPY显示文摘Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_1-xAsdouble barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy atdifferent temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs wellstate confined by Al_xGa_1-xAs Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well stateconfined by Al_xGa_1-xAs X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.	陈弘毅 K.L.Wang	1990	Journal of Electronics(China)1990，7，1：	0

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